半导体放电管是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种保护器件，具有精确导通、快速响应（响应时间ns级）、浪涌吸收 能力较强、双向对称、可靠性高等特点。由于其浪涌通流能力较同尺寸 的TVS管强，可在无源电路中代替TVS管使用。但它的导通特性接近于短 路，不能直接用于有源电路中，在这样的电路中使用时必须加限流元件 ，使其续流小于最小维持电流。半导体过压保护器有贴装式、直插式和 轴向引线式三种封装形式。

半导体放电管广泛用于：电话机、传真机、Modem、XDSL终端、T1/E1接口、仪器仪表、及其配线架、RS485/232数据线、以太网、CATV设备、安防产品、远程监控、远程抄表等产品中。

半导体放电管的主要特性参数：

①断态电压VRM与漏电流IRM：断态电压VRM表示半导体过压保护器不导 通的最高电压，在这个电压下只有很小的漏电流IRM。

②击穿电压VBR：通过规定的测试电流IR（一般为1mA）时的电压，这是 表示半导体过压保护器开始导通的标志电压。

③转折电压VBO与转折电流IBO：当电压升高达到转折电压VBO（对应的 电流为转折电流IBO）时，半导体过压保护器完全导通，呈现很小的阻抗，两 端电压VT立即下降到一个很低的数值（一般为5V左右）。

④峰值脉冲电流IPP：半导体过压保护器能承受的最大脉冲电流。

⑤维持电流IH：半导体过压保护器继续保持导通状态的最小电流。一旦流 过它的电流小于维持电流IH，它就恢复到截止状态。

⑥静态电容C：半导体过压保护器在静态时的电容值。

　　半导体放电管的选型技巧如下：

　　1、最大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。

　　2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压。

　　3、半导体放电管处于导通状态时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。

　　4、反向击穿电压Vp必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中，最大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择Vp大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，最大DC电压(150V)和最大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择Vp大于153V的器件。

      5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。

      半导体放电管选型和TVS管选型有点类似，与TVS管不同的是它导通后电压很低，要特别注意防止过大的续流损坏电路元件， 包括半导体过压保护器本身，因此所用的限流电阻应选得更大些。

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