1.ESD简介

　　ESD是代表英文Electrostatic Discharge即“静电放电”的意思。ESD是本世纪中期以来形成的以研究静电的产生与衰减、静电放电模型、静电放电效应如电流热(火花)效应(如静电引起的着火与爆炸)和电磁效应(如电磁干扰)等的学科。近年来随着科学技术的飞速发展、微电子技术的广泛应用及电磁环境越来越复杂，对静电放电的电磁场效应如电磁干扰(EMI)及电磁兼容性(EMC)问题越来越重视。

    我司ESD保护器件主要是由TVS ARRAY组成，经不同封装而成的器件。其优点是体积小，结电容低，反应速度快等。按电容值可分为Ultra Low capacitance系列，Lowcapacitance系列和Standarder capacitance系列。

    2.ESD工作原理

　　器件并联于电路中，当电路正常工作时，它处于截止状态(高阻态)，不影响线路正常工作，当电路出现异常过压并达到其击穿电压时，它迅速由高阻态变为低阻态，给瞬间电流提供低阻抗导通路径，同时把异常高压箝制在一个安全水平之内，从而保护被保护被保护IC或线路;当异常过压消失，其恢复至高阻态，电路正常工作。

    3.ESD特性参数

击穿电压VBR：ESD通过规定的测试电流IT时的电压，这是表示ESD管导通的标志电压。

反向断态电压VRWM与反向漏电流IR：反向断态电压(截止压)VRWM表示ESD不导通的最高电压，在这个电压下有极小的反向漏电流IR。

脉冲峰值电流IPP：ESD允许通过的10/1000μs波的最大峰值电流(8/20μs波的峰值电流约为其5倍左右)，超过这个电流值就可能造成永久性损坏。

　　最大箝位电压VC：ESD管流过脉冲峰值电流IPP时两端所呈现的电压。

　　脉冲峰值功率Pm：脉冲峰值功率Pm是指10/1000μs波的脉冲峰值电流IPP与最大箝位电压VC的乘积，即Pm=IPP*VC。

　　4.ESD分类及封装

    ESD可分为三种：压敏电阻、聚合物、硅二极管，我司主要为TVS阵列、贴片压敏两类ESD。

    贴片压敏：

　　0603 ESD0603M 0402 ESD0402M

　　TVS阵列:

　　SOD923—SOD882、0402 SOD523—0603、SOD323—0805、

　　SOT-23、SOT-323、SOT-143、SOT553、SOT353、SOT25

　　SOT26、SOT363、SOT563、SO-08、MOSP08、、、、

　　6.ESD产品特点

　　*反应速度快(小于1ns)

　　*电容值低0.5pF~几百pF(适用于高频高速传输线路)

　　*体积小、封装多样化(能满足不同产品应用)

　　*漏电流极低(属于nA级)

　　*电压值低(电压范围常处于3.3V~48V)

　　7.ESD选型及运用

　　7.1.ESD的参数要求：

　　关断电压VRWM:要求其大于被保护电路最大正常工作电压。

　　箝位电压Vc:要小于保护电路中元器件的最大安全电压。

　　瞬态功率Pm：大于外界可能出现的最大异常功率。

　　高频传输电路中所选ESD的电容C值要满足其要求。

　　同时要求ESD的封装大小必须满足线路设计与安装原则。

　　7.2.ESD的工作要求：

　　在期望应力下ESD能正常工作。

　　在正常电压范围内ESD具有高阻抗。

　　在正常电压范围之外，呈低阻抗。

　　电容值对目标应用而言不高。

　　7.3.ESD选取步骤：

　　首先根据工作电压，确定要选择的VRWM值

　　根据电路布线情况确定保护的管脚数量及封装，如布线方便可选用多路保护的ESD，布线复杂时选用多个ESD器件。

　　根据信号的传输频率，选择合适的电容值。

　　7.4.运用领域：

　　由于静电放电的高电压、低电流特性及ESD保护器件的低功率及低电容值的特点，使其适用于高频高速的传输线路。　如：USB2.0、USB3.0、HDMI、RJ45、VGA、DVI、SD-Card、SIM-Card等高速传输接口。其较大的使用范围包含：电脑、手机、MP4、交换机、路由器、GPS、打印机等领域。

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